如何优化PCB设计以最大限度提高超级结MOSFET的性能基于最近的趋势，提高效率成为关键目标，为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比，超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容。
2015/07/24
6764- MOS 集成电路使用操作准则所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是 25nm 50nm 80nm 三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二极管网络进行保护，虽然如此...2014/07/285470
